涂胶机和显影机集成在一起,俗称轨道Track,早期的集成电路工艺和较低端的半导体工艺中,此类设备往往单独使用OffLine。
首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面,由真空负压将样品固定在样品台上,样品然后高速旋转,转速由胶粘。
使用旋转涂胶机均匀涂抹光刻胶3软烘在70°C~90°C的温度下进行烘烤,去除光刻胶中含有的溶剂4对准曝光将光掩膜与硅片。
清洗硅片Wafer Clean 清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒减少针孔和其它缺陷预烘和底胶涂覆 Prebake and Primer Vapor 由于光刻胶中含有溶剂,所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的光刻胶涂覆 Photoresist Coating 光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前,先在9001100度湿氧化。
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